تعویض کننده سطح ولتاژ آستانه کارآمد با استفاده از آینه جریان ویلسون اصلاح شده
ترجمه شده

تعویض کننده سطح ولتاژ آستانه کارآمد با استفاده از آینه جریان ویلسون اصلاح شده

عنوان فارسی مقاله: تعویض کننده سطح ولتاژ آستانه کارآمد با استفاده از آینه جریان ویلسون اصلاح شده برای کاربردهایی با توان پایین
عنوان انگلیسی مقاله: An Area Efficient Sub-threshold Voltage Level Shifter using a Modified Wilson Current Mirror for Low Power Applications
مجله/کنفرانس: مجله تحقیقات IETE
رشته های تحصیلی مرتبط: مهندسی برق
گرایش های تحصیلی مرتبط: مهندسی الکترونیک، مدارهای مجتمع الکترونیک، سیستم های قدرت، مهندسی کنترل
کلمات کلیدی فارسی: آینه جریان، شبیه سازی CAD، تعویض کننده سطح (LS)، انرژی پایین، عملیات زیرآستانه، ترانزیستور معمول (TT)
کلمات کلیدی انگلیسی: Current mirror - CAD simulation - Level shifter (LS) - Low power - Sub-threshold operation - Typical transistor (TT)
شناسه دیجیتال (DOI): https://doi.org/10.1080/03772063.2019.1615389
دانشگاه: موسسه فناوری، مدیریت و علوم Neotia، جینگا، هند
ناشر: تیلور و فرانسیس - Taylor & Francis
نوع ارائه مقاله: ژورنال
نوع مقاله: ISI
سال انتشار مقاله: 2019
صفحات مقاله انگلیسی: 8
صفحات ترجمه فارسی: 12 (1 صفحه رفرنس انگلیسی)
فرمت مقاله انگلیسی: pdf و ورد تایپ شده با قابلیت ویرایش
فرمت ترجمه فارسی: pdf و ورد تایپ شده با قابلیت ویرایش
مشخصات ترجمه: تایپ شده با فونت B Nazanin 14
ترجمه شده از: انگلیسی به فارسی
وضعیت ترجمه: ترجمه شده و آماده دانلود
آیا این مقاله بیس است: خیر
آیا این مقاله مدل مفهومی دارد: ندارد
آیا این مقاله پرسشنامه دارد: ندارد
آیا این مقاله متغیر دارد: ندارد
آیا منابع داخل متن درج یا ترجمه شده است: خیر
آیا توضیحات زیر تصاویر و جداول ترجمه شده است: خیر
آیا متون داخل تصاویر و جداول ترجمه شده است: خیر
کد محصول: 10230
رفرنس: دارای رفرنس در داخل متن و انتهای مقاله
رفرنس در ترجمه: در انتهای مقاله درج شده است
ترجمه فارسی فهرست مطالب

چکیده


مقدمه 


مطالعات قبلی 


طرح LS پیشنهادی 


تجزیه و تحلیل منطقی


ویژگی ها  


نتایج شبیه سازی 


تجزیه و تحلیل تاخیر 


تجزیه و تحلیل انرژی در هر گذار 


تجزیه و تحلیل قدرت 


تجزیه و تحلیل قیاسی 


نتیجه گیری 

فهرست انگلیسی مطالب

ABSTRACT


1. INTRODUCTION


2. PRIOR WORK


3. PROPOSED LS DESIGN


3.1 Logical Analysis


3.2 Properties


4. SIMULATION RESULTS


4.1 Delay Analysis


4.2 Energy Per Transition Analysis


4.3 Power Analysis


5. . COMPARATIVE ANALYSIS


6. CONCLUSION

نمونه ترجمه فارسی مقاله

چکیده 


در ارتباطات فعلی، یک تکنیک جدید برای پیاده سازی مدار تعویض کننده سطح ولتاژ آستانه کارآمد ناحیه کم توان (LS) معرفی شده است. مدار LS پیشنهادی تنها شامل نه  ترانزیستور است و می تواند تا 100 مگاهرتز فرکانس ورودی با موفقیت عمل کند. LS پیشنهادی از ترانزیستور های ولتاژ تک آستانه ساخته شده است که نشان دهنده کم ترین پیچیدگی در ساخت و عملکرد بهتر از نظر تجزیه و تحلیل تاخیر و مصرف برق در مقایسه با سایر طرح های موجود می باشد. شبیه سازی مبتنی بر ابزار CAD در فناوری TSMC 180 نانومتر و مقایسه بین طرح پیشنهادی و سایر طرح های موجود نشان می دهد که طرح پیشنهادی برای طیف مشابهی از تبدیل ولتاژ با بیش ترین بهره وری ناحیه، بهتر از سایر طرح های جدید عمل می کند. 


مقدمه 


با افزایش تقاضا برای دستگاه های قابل حمل در الکترونیک، مصرف انرژی پایین به معیار اصلی طراحی برای مدارها و سیستم های بزرگ مقیاس یکپارچه ( VLSI) تبدیل شده است. طرح های پیچیده باید بین عملکرد و توان تبادل شوند. به طور کلی، مساحت کم و عملکرد بالا، دو محدودیت متناقض هستند. مصرف انرژی دینامیک و مصرف انرژی استاتیک، در مدار VLSI مورد توجه قرار گرفته اند. انرژی دینامیک دارای دو مولفه است، قدرت سوئیچینگ به دلیل شارژ و تخلیه ظرفیت بار و قدرت مدار کوتاه به دلیل افزایش غیر صفر و زمان سقوط شکل موج ورودی. قدرت استاتیک مدار VLSI  نیمه هادی اکسید فلزی مکمل (CMOS) بر اساس جریان نشت از طریق هر ترانزیستور تعیین می شود. برای یک مدار VLSI با پیچیدگی بالا،  قدرت سوئیچینگ، انواع دیگر مصرف انرژی را تعیین می کند.

نمونه متن انگلیسی مقاله

ABSTRACT


In the present communication, a new technique has been introduced for implementing low-power area efficient sub-threshold voltage level shifter (LS) circuit. The proposed LS circuit consists of only nine transistors and can operate up to 100 MHz of input frequency successfully. The proposed LS is made of single threshold voltage transistors which show least complexity in fabrication and better performance in terms of delay analysis and power consumption compared to other available designs. CAD tool-based simulation at TSMC 180 nm technology and comparison between the proposed design and other available designs show that the proposed design performs better than other state-of-the-art designs for a similar range of voltage conversion with the most area efficiency.


1. INTRODUCTION


With the increasing demand of portable devices in electronics, low power consumption has become the main design criterion for Very Large Scale Integrated (VLSI) circuits and systems. High complexity designs need to trade off between performance and power. In general, small area and high performance are two conflicting constraints [1]. Dynamic power consumption and static power consumption are noted in VLSI circuit. Dynamic power has two components i.e. switching power due to the charging and discharging of the load capacitance and the short circuit power due to the non-zero rise and fall time of the input waveforms [2]. The static power of Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) VLSI circuits is determined by the leakage current through each transistor. For a high complexity VLSI circuit the switching power dominates other types of power consumptions.

محتوای این محصول:
- اصل مقاله انگلیسی با فرمت pdf
- اصل مقاله انگلیسی با فرمت ورد (word) با قابلیت ویرایش
- ترجمه فارسی مقاله با فرمت ورد (word) با قابلیت ویرایش، بدون آرم سایت ای ترجمه
- ترجمه فارسی مقاله با فرمت pdf، بدون آرم سایت ای ترجمه
قیمت محصول: ۱۶,۲۰۰ تومان
خرید محصول
  • اشتراک گذاری در

دیدگاه خود را بنویسید:

تاکنون دیدگاهی برای این نوشته ارسال نشده است

تعویض کننده سطح ولتاژ آستانه کارآمد با استفاده از آینه جریان ویلسون اصلاح شده
مشاهده خریدهای قبلی
نوشته های مرتبط
مقالات جدید
لوگوی رسانه های برخط

logo-samandehi

پیوندها