مطالعه بر روی فرورزونانس مبدل الکترومغناطیسی ولتاژ درHGIS ۵۵۰ کیلوولتی
ترجمه شده

مطالعه بر روی فرورزونانس مبدل الکترومغناطیسی ولتاژ درHGIS ۵۵۰ کیلوولتی

عنوان فارسی مقاله: مطالعه بر روی فرورزونانس مبدل الکترومغناطیسی ولتاژ درHGIS ۵۵۰ کیلوولتی
عنوان انگلیسی مقاله: Research on Ferroresonance of Electromagnetic Voltage Transformer in 550kV HGIS
مجله/کنفرانس: سومین کنفرانس بین المللی مدارها، سیستم ها و دستگاه ها - 3rd International Conference on Circuits, Systems and Devices
رشته های تحصیلی مرتبط: مهندسی برق
گرایش های تحصیلی مرتبط: مهندسی الکترونیک، مدارهای مجتمع الکترونیک، تولید، انتقال و توزیع، سیستم های قدرت
کلمات کلیدی فارسی: قطع کننده، ولتاژ گذرای بالاتر از حد مجاز و خیلی سریع، مبدل ولتاژ الکترومغناطیسی، شیب جبهه، رزونانس الکترومغناطیسی، EMTP-ATP
کلمات کلیدی انگلیسی: disconnector - very fast transient overvoltage - electromagnetic voltage transformer - front steepness - ferromagnetic resonance - EMTP-AT
شناسه دیجیتال (DOI): https://doi.org/10.1109/ICCSD.2019.8843055
دانشگاه: موسسه پژوهشی توان الکتریکی Zhejiang ، هانگژو، چین
ناشر: آی تریپل ای - IEEE
نوع ارائه مقاله: کنفرانس
نوع مقاله: ISI
سال انتشار مقاله: 2019
صفحات مقاله انگلیسی: 5
صفحات ترجمه فارسی: 10
فرمت مقاله انگلیسی: pdf و ورد تایپ شده با قابلیت ویرایش
فرمت ترجمه فارسی: pdf و ورد تایپ شده با قابلیت ویرایش
مشخصات ترجمه: تایپ شده با فونت B Nazanin 14
ترجمه شده از: انگلیسی به فارسی
وضعیت ترجمه: ترجمه شده و آماده دانلود
آیا این مقاله بیس است: خیر
آیا این مقاله مدل مفهومی دارد: ندارد
آیا این مقاله پرسشنامه دارد: ندارد
آیا این مقاله متغیر دارد: ندارد
آیا منابع داخل متن درج یا ترجمه شده است: بله
آیا توضیحات زیر تصاویر و جداول ترجمه شده است: بله
آیا متون داخل تصاویر و جداول ترجمه شده است: خیر
کد محصول: 11164
رفرنس: دارای رفرنس در داخل متن و انتهای مقاله
رفرنس در ترجمه: در داخل متن و انتهای مقاله درج شده است
ترجمه فارسی فهرست مطالب

چکیده


1) مقدمه


 ۲) شرایط تجهیزات


۳) شرایط رزونانس فرومغناطیسی 


آ) منحنی مشخصه القایی


ب) شرایط رزونانس مقسّم فرکانس


۴) آنالیز ولتاژ  بیش از حد مجاز  عملیاتی


۵) آنالیز ولتاژ بیش از حد مجاز گذرای خیلی سریع


6) نتیجه گیری

فهرست انگلیسی مطالب

Abstract


I. INTRODUCTION


II. EQUIPMENT CONDITION


III. FERROMAGNETIC RESONANCE CONDITION


A. Excitation Characteristic Curve


B. Frequency Division Resonance Condition


IV. ANALYSIS OF OPERATIONAL OVERVOLTAGE


V. ANALYSIS OF VERY FAST TRANSIENT OVERVOLTAGE


VI. CONCLUSION

نمونه ترجمه فارسی مقاله

چکیده


 در یک مبدل الکترومغناطیسی  ولتاژ  ۵۵۰ کیلوولتی،  رزونانس  فرومعناطیسی زمانی رخ می دهد که  عنصر قطع کننده، باز شود.  در این مقاله، ابتدا شرایط  رزونانس  فرومعناطیسی، تجزیه خطا، ثبت خطا   در نظر گرفته می شود  و داده ی کاری ولتاژ  بیش از حد، به منظور بررسی دلایل ایجاد رزونانس  فرومعناطیسی  آنالیز  میرشود‌  سپس یک مدل شبیه سازی HGIS  به منظور محاسبه ولتاژ گذرای خیلی سریع، ساخته می شود که این ولتاژ با باز کردن  عنصر قطع کننده، حاصل می شود. بر اساس نتایج حاصله، دامنه ی  VFTO   در PT  زیاد نیست  ولی   شیب جبهه موج به مقدار 2837 kv/micro s  می رسد که این مقدار برای عایق بین چرخشی  سیم پیچ اصلی  PT  خطرناک و مضر است و ممکن است باعث ایجاد اتصال کوتاه بین چرخشی شود. سپس باعث اشباع هسته می شود. در انتها ابزارهای پیش گیری  کننده از ایجاد رزونانس  فرومعناطیسی پیشنهاد شده است. 


 مقدمه


با توسعه سریع شبکه های برق در سال های اخیر،  HGIS(GIS)   به دلیل ایمنی، پایداری، ادغام بالا و ناحیه ی کوچک، در بسیاری از پست ها و نیروگاه  ها مورد استفاده قرار گرفته است [1-3]. 


مبدل های ولتاژ یک بخش مهم از HGIS(GIS) هستند و در اصل از ساختار های الکترومغناطیسی برای اندازه گیری انرژی و ولتاژ  و محافظت رله  استفاده می کنند [4-6] . 


نتیجه گیری


VFTO در حین فرآیند بازگشایی عنصر قطع کننده، رخ می دهد  و ساختارهای مبدل ولتاژ الکترومغناطیسی ، موج شیب دار  گذرای خیلی سریع را با ضعف تحمل میکند.  شیب جبهه موج خیلی تند بوده و باعث آسیب رساندن  به ایزولاسیون سیم پیچ اولیه می شود. 


بعد از اینکه سیم پیچ اولیه به طور جزیی  اتصال کوتاه شد،  هسته آهنی به شدت اشباع شده و باعث ایجاد رزونانس  فرومغناطیسی می شود. ممکن است   سیم پیچ اولیه در اثر بار زیاد سیم رزونانس فرومغناطیسی   بسوزد.


 پیشنهاد می شود  حالت  و دنباله عملیاتی مربوطه بهینه شود  تا از فرآیند  بازگشایی عنصر قطع کننده  جلوگیری شود  تا بعد از تقسیم ولتاژ بین خازن معادل زمین و خازن شکاف، VFTO تولید شود.


فشرده سازی  HGIS  باید  با ساختارهایی بهتر طراحی  شود تا  به عمل  امنی  در شبکه منجر شود .

نمونه متن انگلیسی مقاله

Abstract 


For a 550kV HGIS electromagnetic voltage transformer(PT), ferromagnetic resonance occured after the disconnector was opened. In this paper, firstly, considering the ferromagnetic resonance condition, the fault disintegration, fault recording, and operating overvoltage datas were analyzed to analyze the causes of ferromagnetic resonance.Then a HGIS simulation model was built by EMTP-ATP to calculate very fast transient voltage which was caused by opening operation of disconnector. According to the results, the VFTO amplitude at the PT is not large, but the wave front steepness reaches 2837kV/ μs, which is harmful to the inter-turn insulation of the PT primary winding. It may cause partial inter-turn short circuit and then induce core saturation. Finally, the preventive measures of ferromagnetic resonance are proposed.


I. INTRODUCTION


In recent years, with the rapid development of power grids, HGIS (GIS) has been widely adopted by many substations and power plants because of its safety, stability, high integration and small footprint [1-3].


Voltage transformers are an important part of HGIS (GIS), and basically use electromagnetic structure, as voltage, energy measurement and relay protection [4-6].


VI. CONCLUSION


The VFTO occurred during the opening operation of the disconnector, and the electromagnetic voltage transformer structurewas weak tolerant to the Very Fast Transient Steep Wave .The wave front was too steep, which was easy to damage the primary winding insulation.


After the primary winding being partially short-circuited, the iron core was extremely saturated, which will result in ferromagnetic resonance. The primary winding would be burnt due to the overload of the ferromagnetic resonance wire.


It is recommended to optimize the relevant operation mode and sequence to avoid the opening operation of the HGIS disconnector to generate VFTO after the voltage division between equivalent capacitance of the ground and the capacitor of the fracture.


HGIS (GIS) compression should be designed with a better structure to meet the safe operation of the grid.

تصویری از فایل ترجمه

          


(جهت بزرگ نمایی روی عکس کلیک نمایید)

محتوای این محصول:
- اصل مقاله انگلیسی با فرمت pdf
- اصل مقاله انگلیسی با فرمت ورد (word) با قابلیت ویرایش
- ترجمه فارسی مقاله با فرمت ورد (word) با قابلیت ویرایش، بدون آرم سایت ای ترجمه
- ترجمه فارسی مقاله با فرمت pdf، بدون آرم سایت ای ترجمه
قیمت محصول: ۲۱,۸۰۰ تومان
خرید محصول
  • اشتراک گذاری در

دیدگاه خود را بنویسید:

تاکنون دیدگاهی برای این نوشته ارسال نشده است

مطالعه بر روی فرورزونانس مبدل الکترومغناطیسی ولتاژ درHGIS ۵۵۰ کیلوولتی
مشاهده خریدهای قبلی
نوشته های مرتبط
مقالات جدید
لوگوی رسانه های برخط

logo-samandehi

پیوندها