تقویت کننده کم نویز CMOS تماما مجتمع برای اپلیکیشن های استاندارد IEEE 802.11a
ترجمه شده

تقویت کننده کم نویز CMOS تماما مجتمع برای اپلیکیشن های استاندارد IEEE 802.11a

عنوان فارسی مقاله: یک تقویت کننده کم نویز CMOS تماما مجتمع برای اپلیکیشن های استاندارد IEEE 802.11a
عنوان انگلیسی مقاله: A Fully Integrated CMOS Low Noise Amplifier for IEEE 802.11a Standard Applications
مجله/کنفرانس: نوزدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران - 19th Iranian Conference on Electrical Engineering
رشته های تحصیلی مرتبط: مهندسی برق
گرایش های تحصیلی مرتبط: مهندسی الکترونیک، سیستم های قدرت و مدارهای مجتمع الکترونیک
کلمات کلیدی فارسی: RF CMOS LNA، تقویت کننده کم نویز، RF-front end، باند فوق عریض (UWB)، خنثی سازی القایی
کلمات کلیدی انگلیسی: RF CMOS LNA, Low noise amplifier, RF front-end, Ultra Wide Band (UWB), inductive neutralization
دانشگاه: گروه مهندسی برق، دانشگاه صنعتی سهند، تبریز، ایران
ناشر: آی تریپل ای - IEEE
نوع ارائه مقاله: کنفرانس
نوع مقاله: ISI
سال انتشار مقاله: 2011
شناسه ISSN: 2164-7054
صفحات مقاله انگلیسی: 7
صفحات ترجمه فارسی: 11
فرمت مقاله انگلیسی: pdf
فرمت ترجمه فارسی: pdf و ورد تایپ شده با قابلیت ویرایش
مشخصات ترجمه: تایپ شده با فونت B Nazanin 14
ترجمه شده از: انگلیسی به فارسی
وضعیت ترجمه: ترجمه شده و آماده دانلود
آیا این مقاله بیس است: خیر
آیا این مقاله مدل مفهومی دارد: ندارد
آیا این مقاله پرسشنامه دارد: ندارد
آیا این مقاله متغیر دارد: ندارد
آیا منابع داخل متن درج یا ترجمه شده است: خیر
آیا توضیحات زیر تصاویر و جداول ترجمه شده است: بله
آیا متون داخل تصاویر و جداول ترجمه شده است: خیر
کد محصول: 8437
رفرنس: دارای رفرنس در داخل متن و انتهای مقاله
رفرنس در ترجمه: درج نشده است
ترجمه فارسی فهرست مطالب

چکیده


معرفی


فرآیند طراحی


تشدید ورودی/خروجی


تاثیر Lf در پایداری و ایزولاسیون معکوس(S21)


تطابق امپدانس خروجی


تطابق امپدانس ورودی


عدد نویز


خطینگی


پارامترهای S و نتایج شبیه سازی


نتیجه گیری

فهرست انگلیسی مطالب

Abstract


Introduction


Designing Process


Input / Output Resonance


LfEffect in Stability and Reverse Isolation (S12)


Output Impedance Matching


Input Impedance Matching


Noise Figure


Linearity


S-parameters and simulation results


Conclusion

نمونه ترجمه فارسی مقاله

چکیده


 در این مقاله یک تقویت کننده کم نویز CMOS تماما مجتمع (LNA) با سلف های حلقوی روی تراشه در تکنولوژی 0.18 میکرومتر CMOS برای اپلیکیشن های IEEE 802.11a ارایه شده است. استفاده از ساختار کسکد و شبکه امپدانس ورودی اصلاح شده همچنین تکنیک خنثی سازی سلف، مصرف توان LNA را به 15.8 میلی وات کاهش داده است، درحالیکه گین توان 17.82dB و ضریب ایزولاسیون معکوس -58.37dB در فرکانس مرکزی 5.5GHz دارد. S11  وS22 به ترتیب برابر  16.1dB - و 32dB می باشد. LNA  طراحی شده IIP3 برابر 3dBm و عدد نویز(NF) کمتر از 2.9dB در محدوده پهنای باند عملکرد دارد، همانطور که از شبیه سازی سطح ترانزیستوری با استفاده از دیزاین کیت TSMC RF CMOS 0.18µm نتیجه گرفته شده است.


1. معرفی


تقاضای فزاینده برای گیرنده های فرکانس رادیویی(RF) پهن باند با عملکرد بالا، هزینه پایین و مجتمع برای سیستم های ارتباط بی سیم قابل حمل مانند تلفن های همراه، تلویزیون موبایل، بلوتوث، شبکه محلی بی سیم(WLAN)، شبکه شخصی بی سیم(WPAN) و دستگاه هایی نظیر پیجرها، سیستم های شناسایی RF و تلفن های بی سیم، سرمایه گذاری و تحقیقات را در صنایع میکروالکترونیک RF بطور قابل ملاحظه ای افزایش داده است. مهم ترین استانداردها برای سیستم های بی سیم فرا پهن باند(UWB) استانداردهای IEEE مانند 802.11  برای WLAN، 802.15 برای WPAN، 802.18 برای گروه مشاوره فنی تنظیم رادیویی و... هستند. هر کدام بازبینی های متفاوت را برای اهداف متمایز دارند مانند IEEE 802.11 a/b/g و n. دو تکنولوژی متفاوت برای پیاده سازی سیستم های UWB وجود دارد:(1 DS-UWB  2( OFDM چند باندی. MB-OFDM UWB از 5 گروه باند اصلی که هرکدام به باندهای  3.528 مگاهرتزی تقسیم شده اند، تشکیل شده است. به جز گروه باند آخر که باندهای 2.528 مگاهرتزی دارد. شکل 1 گروه های باندی OFDM بر مبنای تعریف FCC را نشان میدهد. گروه باند دوم از باندهای #4، #5 و #6 تشکیل شده است که به ترتیب در محدوده های 4.752~5.280 GHz، 5.280~5.808 GHz و 5.8080~6.366 GHz   گسترش میابند که محدوده ه ایی از 4.75 تا 6.36  گیگا هرتز با فرکانس مرکزی مربوطه را همان گونه که در شکل 1 نشان داده شده است، پوشش میدهد.

نمونه متن انگلیسی مقاله

Abstract


In this paper, a fully integrated CMOS low noise amplifier (LNA) with on-chip spiral inductors in 0.18µm CMOS technology for IEEE 802.11a applications is presented. Using cascode topology and modified input impedance network as well as inductor neutralization technique, the LNA power dissipation is lowered to 15.8mW while having power gain of 17.82dB and reverse isolation factor of -58.37dB at centre frequency of 5.5GHz. S11 and S22 are equal to -16.1dB and - 32dB, respectively. Designed LNA has IIP3 of +3dBm and less than 2.9dB noise figure (NF) in working band width, as resulted from transistor level simulation using TSMC RF CMOS 0.18 µm design kit.


1. Introduction


The ascending demand for high performance, low cost and integrated wideband radio frequency (RF) receivers for portable wireless communication systems like Cellular phones, Mobile TV, Blue-tooth, Wireless Local Area Network (WLAN), Wireless Personal Area Network (WPAN) and devices like Pagers, RF identification systems and Cordless phones has considerably increased investments and researches in RF micro-electronics industries. The most important standards for Ultra Wide Band (UWB) wireless systems are IEEE standards like 802.11 for WLAN, 802.15 for WPAN, 802.18 for radio regulatory technical advisory group and etc. Each has different revisions for distinctive purpose such as IEEE 802.11a/b/g and n. There are two different technologies for UWB systems implementation: 1) DS-UWB 2) Multi-band OFDM. MB-OFDM UWB is consist of 5 major band groups, each subdivided into 3, 528MHz bands except last band group which has 2, 528MHz bands. Fig.1 shows the band groups of OFDM based on FCC definition.[1-4]

محتوای این محصول:
- اصل مقاله انگلیسی با فرمت pdf
- ترجمه فارسی مقاله با فرمت ورد (word) با قابلیت ویرایش، بدون آرم سایت ای ترجمه
- ترجمه فارسی مقاله با فرمت pdf، بدون آرم سایت ای ترجمه
قیمت محصول: ۱۶,۸۰۰ تومان
خرید محصول
  • اشتراک گذاری در

دیدگاه خود را بنویسید:

تاکنون دیدگاهی برای این نوشته ارسال نشده است

تقویت کننده کم نویز CMOS تماما مجتمع برای اپلیکیشن های استاندارد IEEE 802.11a
مشاهده خریدهای قبلی
نوشته های مرتبط
مقالات جدید
لوگوی رسانه های برخط

logo-samandehi

پیوندها