منبع سیلیسید مکمل/ MOSFET بدنه نازک درین برای رژیم با طول گیت 20 نانومتر
ترجمه شده

منبع سیلیسید مکمل/ MOSFET بدنه نازک درین برای رژیم با طول گیت 20 نانومتر

عنوان فارسی مقاله: منبع سیلیسید مکمل/ MOSFET بدنه نازک درین برای رژیم با طول گیت 20 نانومتر
عنوان انگلیسی مقاله: Complementary silicide source/drain thin-body MOSFETs for the 20nm gate length regime
رشته های تحصیلی مرتبط: مهندسی برق
گرایش های تحصیلی مرتبط: الکترونیک قدرت و ماشینهای الکتریکی، برق قدرت و مهندسی الکترونیک
شناسه دیجیتال (DOI): https://doi.org/10.1109/IEDM.2000.904258
دانشگاه: گروه مهندسی برق و علوم کامپیوتر، دانشگاه کالیفرنیا، برکلی
ناشر: آی تریپل ای - IEEE
نوع ارائه مقاله: ژورنال
نوع مقاله: ISI
سال انتشار مقاله: 2000 و قدیمی تر
صفحات مقاله انگلیسی: 4
صفحات ترجمه فارسی: 11
فرمت مقاله انگلیسی: pdf
فرمت ترجمه فارسی: pdf و ورد تایپ شده با قابلیت ویرایش
مشخصات ترجمه: تایپ شده با فونت B Nazanin 14
ترجمه شده از: انگلیسی به فارسی
وضعیت ترجمه: ترجمه شده و آماده دانلود
آیا این مقاله بیس است: خیر
آیا این مقاله مدل مفهومی دارد: ندارد
آیا این مقاله پرسشنامه دارد: ندارد
آیا این مقاله متغیر دارد: ندارد
آیا منابع داخل متن درج یا ترجمه شده است: بله
آیا توضیحات زیر تصاویر و جداول ترجمه شده است: بله
آیا متون داخل تصاویر و جداول ترجمه شده است: خیر
کد محصول: 9193
رفرنس: دارای رفرنس در داخل متن و انتهای مقاله
رفرنس در ترجمه: در داخل متن مقاله درج شده است
ترجمه فارسی فهرست مطالب

چکیده


مقدمه


ساخت دستگاه


خواص دستگاه


مدل انتقال


تجزیه و تحلیل / بحث


نتیجه گیری

فهرست انگلیسی مطالب

Abstract


Introduction


Device Fabrication


Device Characterization


Transmission Model


Analysis/Discussion


Conclusion

نمونه ترجمه فارسی مقاله

چکیده


ترانزیستور بدنه نازک با منبع سیلیسید و با طول گیت 15نانومتر ساخته شده است. مکمل سیلیسید  کم مانع ارتباط و مقاومت سری برای کاهش استفاده شد. حداقل طول گیت ترانزیستور را با   نشان می دهند   و   با   و   می باشد. یک مدل انتقال ساده برازش داده شده با داده های آزمایشی برای بررسی اثرات زنگ اکسید و دوپ شدگی استفاده می شود.


مقدمه


تنها [1] و [2] گیت ترانزیستور بدنه نازک نوید طرح دستگاه برای رژیم با طول گیت 5-50 مانومتر است. یکی از چالش های عمده ، مقاومت زیادی لایه بدنه نازک است. در این مقاله ما یک روش برای کاهش این مقاومت با استفاده از دو مانع منبع سیلیسید / درین :    ، و    است، شکل 1. در مطالعات قبلی، منبع سیلیسید / MOSFET [3] جریان نشتی بزرگ به نمایش گذاشته اند. استفاده ما از بدنه نازک باعث کاهش نشت می شود. این رابطه همزیستی بین سرکوب نشت توسط ساختار بدنه نازک و مقاومت از نتایج ساختار ظرفیتی منبع سیلیکون / درین در یک فن آوری دستگاه است که می تواند  طول گیت 15نانومتر کوچک شود. همچنین یک جایگزین برای رویکرد منبع / درین بالا به عنوان یک روش کلی برای کاهش مقاومت از طرح های بدنه نازک فراهم می کند.

نمونه متن انگلیسی مقاله

Abstract


Thin-body transistors with silicide source/drains were fabricated with gate-lengths down to 15nm. Complementary low-barrier silicides were used to reduce contact and series resistance. Minimum gate-length transistors with Tox=40Å show PMOS |Idsat|=270µA/µm and NMOS |Idsat|=190µA/µm with Vds=1.5V, |Vg-Vt|=1.2V and, Ion/Ioff>104 . A simple transmission model, fitted to experimental data, is used to investigate effects of oxide scaling and extension doping.


Introduction


The single[1] and double[2] gate thin-body transistors are promising device designs for the 5-50nm gate-length regime. One of their major challenges is the large series resistance of the thin body layer. In this paper we present a method for reducing this resistance with the use of dual low-barrier silicide source/drains: PtSi for PMOS, and ErSi1.7 for NMOS, Fig. 1. In previous studies, bulk-Si silicide source/drain MOSFETs[3] have exhibited large leakage currents. Our use of a thin body reduces leakage by orders of magnitude. This symbiotic relationship between leakage suppression by the thin-body structure and the low series resistance of the silicide source/drain structure results in a promising device technology that can be scaled down to 15nm gate-length. It also provides an alternative to the elevated source/drain approach as a general method for reducing series resistance of thin-body designs.

محتوای این محصول:
- اصل مقاله انگلیسی با فرمت pdf
- ترجمه فارسی مقاله با فرمت ورد (word) با قابلیت ویرایش، بدون آرم سایت ای ترجمه
- ترجمه فارسی مقاله با فرمت pdf، بدون آرم سایت ای ترجمه
قیمت محصول: ۱۵,۰۰۰ تومان
خرید محصول
  • اشتراک گذاری در

دیدگاه خود را بنویسید:

تاکنون دیدگاهی برای این نوشته ارسال نشده است

منبع سیلیسید مکمل/ MOSFET بدنه نازک درین برای رژیم با طول گیت 20 نانومتر
مشاهده خریدهای قبلی
نوشته های مرتبط
مقالات جدید
لوگوی رسانه های برخط

logo-samandehi

پیوندها