مقاومت بهینه سازی شده زیرلایه سیلیکون از نوع p برای سلول خورشیدی HIT
ترجمه شده

مقاومت بهینه سازی شده زیرلایه سیلیکون از نوع p برای سلول خورشیدی HIT

عنوان فارسی مقاله: مقاومت بهینه سازی شده زیرلایه سیلیکون از نوع p برای سلول خورشیدی HIT با حوزه پشت سطح آلومینیومی توسط شبیه سازی کامپیوتری
عنوان انگلیسی مقاله: Optimized resistivity of p-type Si substrate for HIT solar cell with Al back surface field by computer simulation
مجله/کنفرانس: انرژی خورشیدی - Solar Energy
رشته های تحصیلی مرتبط: مهندسی انرژی
گرایش های تحصیلی مرتبط: انرژی های تجدیدپذیر و فناوری های انرژی
کلمات کلیدی فارسی: سلول خورشیدی HIT. مقاومت زیرلایه. شبیه سازی
کلمات کلیدی انگلیسی: HIT solar cell - Substrate resistivity - Simulation
نوع نگارش مقاله: مقاله پژوهشی (Research Article)
نمایه: scopus - master journals - JCR
شناسه دیجیتال (DOI): https://doi.org/10.1016/j.solener.2008.11.007
دانشگاه: آزمایشگاه فن آوری سلول خورشیدی، موسسه مهندسی برق، آکادمی علوم چین
ناشر: الزویر - Elsevier
نوع ارائه مقاله: ژورنال
نوع مقاله: ISI
سال انتشار مقاله: 2009
ایمپکت فاکتور: 5.167 در سال 2018
شاخص H_index: 151 در سال 2019
شاخص SJR: 1.593 در سال 2018
شناسه ISSN: 0038-092X
شاخص Quartile (چارک): Q1 در سال 2018
صفحات مقاله انگلیسی: 5
صفحات ترجمه فارسی: 10
فرمت مقاله انگلیسی: pdf
فرمت ترجمه فارسی: pdf و ورد تایپ شده با قابلیت ویرایش
مشخصات ترجمه: تایپ شده با فونت B Nazanin 14
ترجمه شده از: انگلیسی به فارسی
وضعیت ترجمه: ترجمه شده و آماده دانلود
آیا این مقاله بیس است: خیر
آیا این مقاله مدل مفهومی دارد: ندارد
آیا این مقاله پرسشنامه دارد: ندارد
آیا این مقاله متغیر دارد: ندارد
آیا منابع داخل متن درج یا ترجمه شده است: بله
آیا توضیحات زیر تصاویر و جداول ترجمه شده است: بله
آیا متون داخل تصاویر و جداول ترجمه شده است: خیر
کد محصول: 9238
رفرنس: دارای رفرنس در داخل متن و انتهای مقاله
رفرنس در ترجمه: در داخل متن مقاله درج شده است
ترجمه فارسی فهرست مطالب

چکیده


1. مقدمه


2. ساختار سلول های خورشیدی و شبیه سازی


3. نتایج و بحث


4. نتیجه گیری

فهرست انگلیسی مطالب

Abstract


1. Introduction


2. Solar cell structure and simulation


3. Results and discussion


4. Conclusion

نمونه ترجمه فارسی مقاله

چکیده


برای سلول خورشیدی HIT (ناهمگون با لایه-نازک ذاتی) با حوزه پشت سطحی آلومینیوم در زیرلایه سیلیکونی نوع p، اثرات مقاومت زیرلایه بر عملکرد سلول خورشیدی با استفاده از نرم افزار AFORS-HET به عنوان یک ابزار شبیه سازی عددی کامپیوتری مورد بررسی قرار گرفت. نتایج نشان می دهد که مقاومت زیرلایه بهینه سازی شده ( ) برای به دست آوردن حداکثر کارایی سلول های خورشیدی نسبت به تراکم نقص حجمی، از جمله چگالی نقص اکسیژن ( )، در زیرلایه و چگالی نقص واسطه ( ) در واسطه پیوند Si بی نظم / بلوری می باشد. هرقدر   و یا   بزرگتر باشد،   بالاتر است. اثر   واضح تر است.   در حدود 0.5 Ω سانتی متر برای   است، اما برای  ، بالاتر از 1.0 Ω سانتی متر است. به منظور به دست آوردن عملکرد بسیار عالی سلول های خورشیدی، زیرلایه سیلیکون، با مقاومت 0.5 Ω سانتی متر،   کمتر از   ، و   کمتر از   ، ترجیح داده می شود که با این نظر سنتی که مقاومت 1.0 Ω سانتی متر بهترین است، متفاوت می باشد.


1. مقدمه


سلول خورشیدی سیلیکون ناهمگون (SHJ) به نام HIT (ناهمگون با لایه نازک ذاتی)، که توسط SANYO در سال 1994 توسعه یافته (Sawada و همکاران، 1994) است، توسط رسوب شیمیایی بخار پلاسمای افزایش یافته از لایه های سیلیکن نازک بی نظم هیدروژنه (a-Si:H) در هر دو طرف ویفر کریستالی با کیفیت بالا (c-Si) تولید می شود. چنین سلول های خورشیدی جدیدی به طور همزمان می توانند یک رویینگی سطح و تشکیل اتصال پیوند p-n را تحقق ببخشند. فرآیندهای دمای پایین آن    می تواند از تخریب کیفیت حجمی که احتمالا در فرآیندهای چرخه زنی در دمای بالا اتفاق می افتد جلوگیری نماید، و در مقایسه با سلول های منتشر شده معمولی، ضریب دمای بسیار بهتر را می توان با یک ولتاژ مدار باز بالاتر   به دست آورد (Tucci و همکاران، 2004؛.. Voz و همکاران، 2006؛ Xu و همکاران، 2006). از این رو، سلول خورشیدی HIT منافع بیشتر و بیشتری را در سراسر جهان جذب کرده است.

نمونه متن انگلیسی مقاله

Abstract


For HIT (heterojunction with intrinsic thin-layer) solar cell with Al back surface field on p-type Si substrate, the impacts of substrate resistivity on the solar cell performance were investigated by utilizing AFORS-HET software as a numerical computer simulation tool. The results show that the optimized substrate resistivity (Rop) to obtain the maximal solar cell efficiency is relative to the bulk defect density, such as oxygen defect density (Dod), in the substrate and the interface defect density (Dit) on the interface of amorphous/crystalline Si heterojunction. The larger Dod or Dit is, the higher Rop is. The effect of Dit is more obvious. Rop is about 0.5 X cm for Dit = 1.0  1011/cm2 , but is higher than 1.0 X cm for Dit = 1.0  1012/cm2 . In order to obtain very excellent solar cell performance, Si substrate, with the resistivity of 0.5 X cm, Dod lower than 1.0  1010/cm3 , and Dit lower than 1.0  1011/cm2 , is preferred, which is different to the traditional opinion that 1.0 X cm resistivity is the best.


1. Introduction


Silicon heterojunction (SHJ) solar cell called HIT (heterojunction with intrinsic thin-layer), developed by SANYO Ltd. in 1994 (Sawada et al., 1994), is produced by plasma enhanced chemical vapor deposition of thin hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) layers on both sides of a high quality crystalline silicon (c-Si) wafer. Such novel solar cell can simultaneously realize an excellent surface passivation and a p–n junction formation. Its low-temperature processes (<200 C) can prevent the degradation of bulk quality that possibly happens in high-temperature cycling processes, and compared with conventional diffused cells, a much better temperature coefficient can be obtained with a higher open-circuit voltage (Voc) (Tucci et al., 2004; Voz et al., 2006; Xu et al., 2006). Hence, HIT solar cell has attracted more and more interests all over the world.

محتوای این محصول:
- اصل مقاله انگلیسی با فرمت pdf
- ترجمه فارسی مقاله با فرمت ورد (word) با قابلیت ویرایش، بدون آرم سایت ای ترجمه
- ترجمه فارسی مقاله با فرمت pdf، بدون آرم سایت ای ترجمه
قیمت محصول: ۱۵,۰۰۰ تومان
خرید محصول
  • اشتراک گذاری در

دیدگاه خود را بنویسید:

تاکنون دیدگاهی برای این نوشته ارسال نشده است

مقاومت بهینه سازی شده زیرلایه سیلیکون از نوع p برای سلول خورشیدی HIT
مشاهده خریدهای قبلی
نوشته های مرتبط
مقالات جدید
لوگوی رسانه های برخط

logo-samandehi

پیوندها