مقاومت بهینه سازی شده زیرلایه سیلیکون از نوع p برای سلول خورشیدی HIT
چکیده
برای سلول خورشیدی HIT (ناهمگون با لایه-نازک ذاتی) با حوزه پشت سطحی آلومینیوم در زیرلایه سیلیکونی نوع p، اثرات مقاومت زیرلایه بر عملکرد سلول خورشیدی با استفاده از نرم افزار AFORS-HET به عنوان یک ابزار شبیه سازی عددی کامپیوتری مورد بررسی قرار گرفت. نتایج نشان می دهد که مقاومت زیرلایه بهینه سازی شده ( ) برای به دست آوردن حداکثر کارایی سلول های خورشیدی نسبت به تراکم نقص حجمی، از جمله چگالی نقص اکسیژن ( )، در زیرلایه و چگالی نقص واسطه ( ) در واسطه پیوند Si بی نظم / بلوری می باشد. هرقدر و یا بزرگتر باشد، بالاتر است. اثر واضح تر است. در حدود 0.5 Ω سانتی متر برای است، اما برای ، بالاتر از 1.0 Ω سانتی متر است. به منظور به دست آوردن عملکرد بسیار عالی سلول های خورشیدی، زیرلایه سیلیکون، با مقاومت 0.5 Ω سانتی متر، کمتر از ، و کمتر از ، ترجیح داده می شود که با این نظر سنتی که مقاومت 1.0 Ω سانتی متر بهترین است، متفاوت می باشد.
1. مقدمه
سلول خورشیدی سیلیکون ناهمگون (SHJ) به نام HIT (ناهمگون با لایه نازک ذاتی)، که توسط SANYO در سال 1994 توسعه یافته (Sawada و همکاران، 1994) است، توسط رسوب شیمیایی بخار پلاسمای افزایش یافته از لایه های سیلیکن نازک بی نظم هیدروژنه (a-Si:H) در هر دو طرف ویفر کریستالی با کیفیت بالا (c-Si) تولید می شود. چنین سلول های خورشیدی جدیدی به طور همزمان می توانند یک رویینگی سطح و تشکیل اتصال پیوند p-n را تحقق ببخشند. فرآیندهای دمای پایین آن می تواند از تخریب کیفیت حجمی که احتمالا در فرآیندهای چرخه زنی در دمای بالا اتفاق می افتد جلوگیری نماید، و در مقایسه با سلول های منتشر شده معمولی، ضریب دمای بسیار بهتر را می توان با یک ولتاژ مدار باز بالاتر به دست آورد (Tucci و همکاران، 2004؛.. Voz و همکاران، 2006؛ Xu و همکاران، 2006). از این رو، سلول خورشیدی HIT منافع بیشتر و بیشتری را در سراسر جهان جذب کرده است.
Abstract
For HIT (heterojunction with intrinsic thin-layer) solar cell with Al back surface field on p-type Si substrate, the impacts of substrate resistivity on the solar cell performance were investigated by utilizing AFORS-HET software as a numerical computer simulation tool. The results show that the optimized substrate resistivity (Rop) to obtain the maximal solar cell efficiency is relative to the bulk defect density, such as oxygen defect density (Dod), in the substrate and the interface defect density (Dit) on the interface of amorphous/crystalline Si heterojunction. The larger Dod or Dit is, the higher Rop is. The effect of Dit is more obvious. Rop is about 0.5 X cm for Dit = 1.0 1011/cm2 , but is higher than 1.0 X cm for Dit = 1.0 1012/cm2 . In order to obtain very excellent solar cell performance, Si substrate, with the resistivity of 0.5 X cm, Dod lower than 1.0 1010/cm3 , and Dit lower than 1.0 1011/cm2 , is preferred, which is different to the traditional opinion that 1.0 X cm resistivity is the best.
1. Introduction
Silicon heterojunction (SHJ) solar cell called HIT (heterojunction with intrinsic thin-layer), developed by SANYO Ltd. in 1994 (Sawada et al., 1994), is produced by plasma enhanced chemical vapor deposition of thin hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) layers on both sides of a high quality crystalline silicon (c-Si) wafer. Such novel solar cell can simultaneously realize an excellent surface passivation and a p–n junction formation. Its low-temperature processes (<200 C) can prevent the degradation of bulk quality that possibly happens in high-temperature cycling processes, and compared with conventional diffused cells, a much better temperature coefficient can be obtained with a higher open-circuit voltage (Voc) (Tucci et al., 2004; Voz et al., 2006; Xu et al., 2006). Hence, HIT solar cell has attracted more and more interests all over the world.
چکیده
1. مقدمه
2. ساختار سلول های خورشیدی و شبیه سازی
3. نتایج و بحث
4. نتیجه گیری
Abstract
1. Introduction
2. Solar cell structure and simulation
3. Results and discussion
4. Conclusion
- ترجمه فارسی مقاله با فرمت ورد (word) با قابلیت ویرایش، بدون آرم سایت ای ترجمه
- ترجمه فارسی مقاله با فرمت pdf، بدون آرم سایت ای ترجمه