مدلسازی فشرده و اثرات اتصال در ترانزیستورهای لایه نازک
ترجمه شده

مدلسازی فشرده و اثرات اتصال در ترانزیستورهای لایه نازک

عنوان فارسی مقاله: مدلسازی فشرده و اثرات اتصال در ترانزیستورهای لایه نازک
عنوان انگلیسی مقاله: Compact Modeling and Contact Effects in Thin Film Transistors
مجله/کنفرانس: یافته ها در مورد دستگاه های الکترونیکی - TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
رشته های تحصیلی مرتبط: مهندسی برق
گرایش های تحصیلی مرتبط: مهندسی الکترونیک و سیستم های قدرت
کلمات کلیدی فارسی: مدلسازی فشرده (Compact modeling)، اثرات اتصالی (contact effects)، مدلسازی اتصال ( contact modeling)، ترانزیستور لایه نازک آلی ((organic thin-film transistor (OTFT)، ترانزیستورهای آلی (organic transistors)، مدلسازی OTFT ، ترانزیستورهای لایه نازک (thin-film transistor)
کلمات کلیدی انگلیسی: Compact modeling, contact effects, contact modeling, organic thin-film transistor (OTFT), organic transistors, OTFT modeling, thin film transistors (TFTs)
نوع نگارش مقاله: مقاله پژوهشی (Research Article)
نمایه: scopus - master journals - JCR
شناسه دیجیتال (DOI): https://doi.org/10.1109/TED.2013.2282994
دانشگاه: گروه الکترونیک و فناوری کامپیوتر، دانشگاه گرانادا، اسپانیا
ناشر: آی تریپل ای - IEEE
نوع ارائه مقاله: ژورنال
نوع مقاله: ISI
سال انتشار مقاله: 2014
ایمپکت فاکتور: 2.967 در سال 2018
شاخص H_index: 165 در سال 2019
شاخص SJR: 0.853 در سال 2019
شناسه ISSN: 0018-9383
شاخص Quartile (چارک): Q1
صفحات مقاله انگلیسی: 12
صفحات ترجمه فارسی: 29
فرمت مقاله انگلیسی: PDF
فرمت ترجمه فارسی: ورد و pdf
مشخصات ترجمه: تایپ شده با فونت B Nazanin 14
ترجمه شده از: انگلیسی به فارسی
آیا این مقاله بیس است: بله
آیا منابع داخل متن درج یا ترجمه شده است: خیر
آیا توضیحات زیر تصاویر و جداول ترجمه شده است: بله
آیا متون داخل تصاویر و جداول ترجمه شده است: خیر
کد محصول: 9596
ترجمه فارسی فهرست مطالب

چکیده


1. مقدمه


2. ویژگیهای اتصال فلزی


A. توابع کار نیمه هادی و فلز


B. کیفیت اتصال و ناحیه نزدیک به بین وجهی


C. هندسه اتصال


D. ناحیه گذر (انتقال)


3. اثرات اتصال در OTFT ها


A. مدلهای اثرات اتصال


B. چه چیزی فراموش شده است؟


4. مدل فشرده برای ناحیۀ اتصال ترانزیستورهای OTFT


5. افزودن در یک مدل ترانزیستور OTFT


6. روش استخراج پارامتر


A. اهمیت یک مدل فشرده با اثرات اتصال


B. روش استخراجی ما


6. نتایج و بررسی ها


A. اثرات اندازه سازه


B. ترانزیستور دارای ناپایداری


C. اثرات دما


D. اثرات مانع یا حائل انرژی (Energy Barrier)


8. ایده هایی برای کارهای آینده


9. نتیجه گیری

فهرست انگلیسی مطالب

Abstract


I. INTRODUCTION


II. PROPERTIES OF METAL CONTACTS


A. Metal and Semiconductor Work Functions


B. Quality of the Contact and the Near-Interfacial Region


C. Geometry of the Contact


D. Transition Region


III. CONTACT EFFECTS IN OTFTs


A. Models of Contact Effects


B. What is Missing?


IV. COMPACT MODEL FOR THE CONTACT REGION OF OTFTs


V. INCORPORATION IN AN OTFT MODEL


VI. PARAMETER EXTRACTION METHOD


A. Importance of a Compact Model With Contact Effects


B. Our Extraction Method


VII. RESULTS AND DISCUSSION


A. Effects of the Size of the Structure


B. Transistor with Instabilities


C. Effects of the Temperature


D. Effects of the Energy Barrier


VIII. IDEAS FOR FUTURE WORK


IX. CONCLUSION

نمونه ترجمه فارسی مقاله

چکیده


یک مدل فشرده برای تعیین ویژگیهای ولتاژ- جریان ترانزیستورهای لایه نازک آلی (OTFT) که در برگیرندۀ اثرات نواحی اتصال (contact regions) میباشد، پیشنهاد شد. حالات فیزیکی و ساختاری مختلف اتصالات با مواد آلی و سایر مواد نوظهور مثل گرافن، دی کالوژنیدها (dichalcogenide )ی نیمه هادی مثل MoS2 یا ابزار نانو سیمی (NW)، تشریح میگردند. رفتار الکتریکی اتصالات در ترانزیستورهای OTFT بررسی میشود و مدلهای مداری که آنها را تشریح میکنند مورد بررسی قرار میگیرند. دو روند در منحنیهای ولتاژ- جریان مشاهده میشوند: خطی (linear) و غیرخطی(nonlinear)، و مدلهای مختلفی برای تشریح آنها مورد استفاده قرار میگیرند. یک مدل یکپارچه شده برای ناحیۀ اتصال  (یا ناحیۀ تماسcontact region) که هر دو روند را ایجاد میکند و ویژگیهای فیزیکی و ساختاری مختلف اتصالات در خود جای میدهد، توسعه داده میشود. این مدل بوسیلۀ یک پارامتر تشریح میشود و در یک مدل تحلیلی عمومی برای ترانزیستورهای لایه نازک(TFT) معرفی میگردد. تغییرپذیری در ساختارهای OTFT ، مواد و روشهای ساخت، منجر به انعطاف بسیار زیاد در مقادیر پارامترهای مدل میشود.  در این رابطه، یک تکنیک تعیین ویژگی برای مشخص کردن مقدار پارامترهای مدل از داده های آزمایشی نیز توسعه داده میشود. تستهای فیزیکی مختلفی برای اعتبارسنجی نتایج تکنیک پیشنهاد میشوند. این روش روی داده های اخیر آزمایشی برای ترانزیستورهای بر پایۀ پنتاسن (pentacene-based transistors) اعمال میگردد. همخوانی خوب بین داده های آزمایشی و نتایج تحلیلی ما، راهی را برای ارتباط دادن پارامترهای مدل با منبع فیزیکی یا هندسی اثرات اتصالی در ترانزیستورهای OTFT فراهم میسازد.  


1. مقدمه


فناوریهای نوظهور برپایۀ مواد پلیمری مراجع 1 تا 3، مواد دوبعدی مثل گرافن، فلزات انتقالی dichalcogenide نیمه هادی، MoS2 یا WSe2 ، یا ابزار نانو کابلی (NW) روشهای امیدوار کننده ای در عرصۀ نانوالکترونیک، حسگرها و فوتونیک هستند. این مواد علاوه بر کاربردهای رایج، یک ویژگی مشترک دیگر دارند بنام: ارتباط با دنیای خارج از طریق اتصالات فلزی.

نمونه متن انگلیسی مقاله

Abstract 


A compact model for the current–voltage characteristics of organic thin-film transistors (OTFTs), which includes the effects of the contact regions, is proposed. Different physical and morphological aspects of contacts with organic or other emerging materials such as graphene, semiconducting dichalcogenides such as MoS2, or NW devices are described. The electrical behavior of the contacts is studied in OTFTs, and circuit models that describe them are reviewed. Two trends are observed in the current-voltage curves of the contacts of different OTFTs: linear and nonlinear, and different models are used to explain them. A unified model for the contact region that reproduces both trends and gathers the different physical and structural features of the contacts is developed. It is described by a single parameter and introduced in a generic analytical model for TFTs. The variability in OTFT structures, materials, and fabrication approaches gives rise to a strong variability in the values of the parameters of the model. In this regard, a characterization technique to determine the value of the parameters of the model from experimental data is also developed. Different physical tests are proposed to validate the results of the technique. The procedure is applied to recent experimental data for different pentacene-based transistors. The good agreement between the experimental data and our analytical results provides a way to relate the parameters of the model with the physical or geometrical origin of the contact effects in OTFTs.


I. INTRODUCTION


EMERGING technologies based on organic or polymeric materials [1]–[3], 2-D materials such as graphene [4], semiconducting dichalcogenides, MoS2 or WSe2 [5], or nanowire (NW) devices [6], are promising solutions in the fields of nanoelectronics, sensing, and photonics. Apart from having common applications, these materials share an additional common feature: the connection to the outer world via metal contacts.

محتوای این محصول:
- اصل مقاله انگلیسی با فرمت pdf
- ترجمه فارسی مقاله با فرمت ورد (word) با قابلیت ویرایش، بدون آرم سایت ای ترجمه
- ترجمه فارسی مقاله با فرمت pdf، بدون آرم سایت ای ترجمه
قیمت محصول: ۲۳,۳۰۰ تومان
خرید محصول
  • اشتراک گذاری در

دیدگاه خود را بنویسید:

تاکنون دیدگاهی برای این نوشته ارسال نشده است

مدلسازی فشرده و اثرات اتصال در ترانزیستورهای لایه نازک
مشاهده خریدهای قبلی
نوشته های مرتبط
مقالات جدید
لوگوی رسانه های برخط

logo-samandehi

پیوندها