ویژگی دی الکتریک تیتانات زیرکونیوم به وسیله واکنش گر Co-Sputtering
ترجمه نشده

ویژگی دی الکتریک تیتانات زیرکونیوم به وسیله واکنش گر Co-Sputtering

عنوان فارسی مقاله: خواص نوری و دی الکتریک لایه نازک تیتانات زیرکونیوم به وسیله واکنش گر Co-Sputtering ماگنترونی جریان مستقیم
عنوان انگلیسی مقاله: Dielectric and Optical Properties of Zirconium Titanate Thin Films by Reactive DC Magnetron Co-Sputtering
مجله/کنفرانس: معاملات در مورد دی الکتریک و عایق الکتریکی - Transactions on Dielectrics and Electrical Insulation
رشته های تحصیلی مرتبط: برق
گرایش های تحصیلی مرتبط: مهندسی الکترونیک، مخابرات نوری
کلمات کلیدی فارسی: لایه نازک زیرکونیوم تیتانات، Co-Sputtering ماگنترونی جریان مستقیم، زیرلایه آلومینا و دمای بستر 19
کلمات کلیدی انگلیسی: Zirconium titanate thin films، DC magnetron reactive co-sputtering، ۱۹ alumina substrate and substrate temperature
نمایه: JCR - Master Journal List - Scopus
شناسه دیجیتال (DOI): https://doi.org/10.1109/TDEI.2019.007887
دانشگاه: Materials research laboratory, Dept. of Physics, Sri Krishnadevaraya University, Anantapuramu-515003, A.P., India
ناشر: آی تریپل ای - IEEE
نوع ارائه مقاله: ژورنال
نوع مقاله: ISI
سال انتشار مقاله: 2019
ایمپکت فاکتور: 2/761 در سال 2018
شاخص H_index: 101 در سال 2019
شاخص SJR: 0/682 در سال 2018
شناسه ISSN: 1070-9878
شاخص Quartile (چارک): Q1 در سال 2018
فرمت مقاله انگلیسی: PDF
تعداد صفحات مقاله انگلیسی: 5
وضعیت ترجمه: ترجمه نشده است
قیمت مقاله انگلیسی: رایگان
آیا این مقاله بیس است: خیر
آیا این مقاله مدل مفهومی دارد: ندارد
آیا این مقاله پرسشنامه دارد: ندارد
آیا این مقاله متغیر دارد: ندارد
کد محصول: E12928
رفرنس: دارای رفرنس در داخل متن و انتهای مقاله
فهرست انگلیسی مطالب

Abstract


1- Introduction


2- Experimental Details


3- Results and Discussion


4- Conclusions


References

نمونه متن انگلیسی مقاله

ABSTRACT


Zirconium titanate thin films were deposited on alumina substrates by DC magnetron reactive co-sputtering by varying substrate temperature and the effects of substrate temperature on optical and dielectric properties of the films have been studied intensively by available characterization techniques. The optical parameters were determined by Swanepoel’s method. The films exhibited high transmittance in the visible region and the optical band gap of the films varied from 3.1 to 2.8 eV as the temperature varied from 33 to 400o C. The film deposited at room temperature exhibit a high transmittance of 71%. Dielectric constant measurements have been carried out at 10 GHz of frequency. The dielectric constant increased with increase in temperature and the film deposited at 400o C exhibited a high dielectric constant (40) and a low dielectric loss (0.026).


INTRODUCTION


HIGH-K dielectric materials find applications in dielectric resonators, filters, gate dielectrics, phase shifters, voltage tunable oscillators and dynamic random access memories [1]. Owing to their high dielectric constant, high quality factor, high temperature stability besides good optical properties Zirconium titanate (ZTO) and ZTO based materials act as potential candidates for microwave dielectrics [2-4] and also find applications in mid-infrared integrated photonics as well [5]. There are reports on the effects of processing parameters like substrate temperature [6], annealing temperature [7, 8] and partial pressure ratios of sputtering and reactive gases [4] on the dielectric properties of ZTO films. Some of the authors described correlation of processing parameters and film properties. Kim et al reported the effects of thickness on dielectric behavior of ZTO thin films fabricated by sol-gel process [9]. Kim et al demonstrated effects of microstructures on microwave dielectric properties of ZTO thin films [10]. Victor et al reported the significance of amorphous ZTO thin films and the dielectric relaxation phenomenon in these films [11]. Kim et al correlated strain and dielectric properties of ZTO thin films [1]. Kim et al described effects of substrate temperature on physical and dielectric properties of ZTO thin films in the MHz to GHz range by measuring dielectric constant in the range of 2 to 6 GHz [6, 10].

  • اشتراک گذاری در

دیدگاه خود را بنویسید:

تاکنون دیدگاهی برای این نوشته ارسال نشده است

ویژگی دی الکتریک تیتانات زیرکونیوم به وسیله واکنش گر Co-Sputtering
نوشته های مرتبط
مقالات جدید
نماد اعتماد الکترونیکی
پیوندها