یک مدل فشرده و شبیه سازی TCAD برای ترانزیستور تزریق گیت (GIT)
ترجمه نشده

یک مدل فشرده و شبیه سازی TCAD برای ترانزیستور تزریق گیت (GIT)

عنوان فارسی مقاله: یک مدل فشرده و شبیه سازی TCAD برای ترانزیستور تزریق گیت-GaN
عنوان انگلیسی مقاله: A compact model and TCAD simulation for GaN-gate injection transistor (GIT)
مجله/کنفرانس: الکترونیک حالت جامد - Solid-State Electronics
رشته های تحصیلی مرتبط: مهندسی برق
گرایش های تحصیلی مرتبط: مهندسی الکترونیک، الکترونیک قدرت، انتقال و توزیع، سیستم های قدرت
کلمات کلیدی فارسی: ترانزیستور تزریق گیت، GaN، ترانزیستور با تحرک الکترونی زیاد، WBG ،TCAD
کلمات کلیدی انگلیسی: GIT، GaN، HEMT، TCAD، WBG
نوع نگارش مقاله: مقاله پژوهشی (Research Article)
نمایه: Scopus - Master Journal List - JCR
شناسه دیجیتال (DOI): https://doi.org/10.1016/j.sse.2018.10.017
دانشگاه: Department of Electrical and Computer Engineering, University of Tennessee, Knoxville, TN 37996, USA
ناشر: الزویر - Elsevier
نوع ارائه مقاله: ژورنال
نوع مقاله: ISI
سال انتشار مقاله: 2019
ایمپکت فاکتور: 1/793 در سال 2017
شاخص H_index: 82 در سال 2019
شاخص SJR: 0/492 در سال 2017
شناسه ISSN: 0038-1101
شاخص Quartile (چارک): Q2 در سال 2017
فرمت مقاله انگلیسی: PDF
تعداد صفحات مقاله انگلیسی: 18
وضعیت ترجمه: ترجمه نشده است
قیمت مقاله انگلیسی: رایگان
آیا این مقاله بیس است: خیر
کد محصول: E11078
فهرست انگلیسی مطالب

Abstract


1- Introduction


2- Device structure


3- Analytical model


4- Simulation results


5- Conclusion


References

نمونه متن انگلیسی مقاله

Abstract


Wide bandgap (WBG) semiconductor devices represent an attractive developing technology for power applications that is recently gaining commercial ground. GaN has advantages as one of the top contenders with high bandgap, high mobility, high saturation velocity, and high breakdown voltage. GaN enhancement-mode devices are favored over depletion-mode devices for power electronics applications and are only recently becoming commercially available. The enhancement-mode device investigated in this work is a GaN-gate injection transistor (GIT) in which the normally-off operation is achieved with an additional p-doped gate. This paper presents current-voltage (I-V) characteristics of GaN-GIT device using a physics based compact model as well as TCAD (Technology Computer-Aided Design) numerical simulation to predict and model the device behavior of the GIT. This paper presents a comparison of the TCAD simulation results with a compact model intended for low frequency applications in power electronics in the KHz to MHz range.


Introduction


During the past few years, researchers have focused their attention on wide bandgap (WBG) materials for power electronics applications. Extensive research on GaN devices during the past decade has demonstrated the realization of these devices with superior on-resistance, higher breakdown voltage and smaller device sizes compared to conventional Si power devices. GaN is particularly coveted for its high breakdown voltage, high mobility and high saturation velocity as illustrated in Table 1 [1]. Most of the GaN based transistors reported to date are typically lateral heterojunction fieldeffect transistor (HFET) or high electron mobility transistor (HEMT) due to the availability of two-dimensional electron gas (2DEG) created by spontaneous and piezoelectric polarization of AlGaN/GaN heterojunction. The mechanical stress results in piezoelectric polarization which occurs in the same direction as the tensile strain formed by AlGaN. Due to the presence of native 2DEG channel the device is inherently depletion-mode or normally-on which is undesirable for power electronic applications. An emerging device technology that achieves enhancement-mode operation of AlGaN/GaN HEMT incorporates a p-doped GaN layer beneath the gate electrode. This type of configuration is termed as the gate injection transistor (GIT) [2-3]. This device structure has several advantages over the other enhancement-mode GaN HEMT structures due to its low on-resistance and high current density.

  • اشتراک گذاری در

دیدگاه خود را بنویسید:

تاکنون دیدگاهی برای این نوشته ارسال نشده است

یک مدل فشرده و شبیه سازی TCAD برای ترانزیستور تزریق گیت (GIT)
نوشته های مرتبط
مقالات جدید
لوگوی رسانه های برخط

logo-samandehi

پیوندها