تحلیل عملکرد تونل FET مدوله شده دی الکتریک مبتنی بر بیوسنسور بدون برچسب
ترجمه نشده

تحلیل عملکرد تونل FET مدوله شده دی الکتریک مبتنی بر بیوسنسور بدون برچسب

عنوان فارسی مقاله: طراحی و تجزیه و تحلیل عملکرد تونل FET مدوله شده دی الکتریک بر اساس بیوسنسور بدون برچسب
عنوان انگلیسی مقاله: Design and Performance Analysis of Dielectrically Modulated Doping-less Tunnel FET based Label Free Biosensor
مجله/کنفرانس: مجله سنسورها - Sensors Journal
رشته های تحصیلی مرتبط: مهندسی برق، شیمی
گرایش های تحصیلی مرتبط: الکترونیک، مهندسی کنترل، شیمی کاربردی، شیمی فیزیک
کلمات کلیدی فارسی: شارژ پلاسما، تونل FET مدوله شده دی الکتریک، بیوسنسور، حساسیت بیومولکول
کلمات کلیدی انگلیسی: Charge plasma، Dielectric Modulation Tunnel FET، Biosensor، Biomolecule Sensitivity
نمایه: JCR - Master Journal List - Scopus
شناسه دیجیتال (DOI): https://doi.org/10.1109/JSEN.2019.2900092
دانشگاه: Sunny Anand Department of Electronics and Communication Engineering, Amity University, Noida, India
ناشر: آی تریپل ای - IEEE
نوع ارائه مقاله: ژورنال
نوع مقاله: ISI
سال انتشار مقاله: 2019
ایمپکت فاکتور: 3/779 در سال 2018
شاخص H_index: 100 در سال 2019
شاخص SJR: 0/726 در سال 2018
شناسه ISSN: 1530-437X
شاخص Quartile (چارک): Q1 در سال 2018
فرمت مقاله انگلیسی: PDF
تعداد صفحات مقاله انگلیسی: 6
وضعیت ترجمه: ترجمه نشده است
قیمت مقاله انگلیسی: رایگان
آیا این مقاله بیس است: خیر
آیا این مقاله مدل مفهومی دارد: ندارد
آیا این مقاله پرسشنامه دارد: ندارد
آیا این مقاله متغیر دارد: ندارد
کد محصول: E12747
رفرنس: دارای رفرنس در داخل متن و انتهای مقاله
فهرست انگلیسی مطالب

Abstract


I- Introduction


II- Device Structure


III- Results And Discussions


IV- Conclusion


References

نمونه متن انگلیسی مقاله

Abstract


In this work, we have proposed a charge plasma based doping less double gated tunnel FET (DLDGTFET) based biosensor using dielectric modulation with a cavity introduced at the source side for the label free sensing of the biomolecules. These biomolecules are immobilized in the cavity region to induce drain current. The sensing of the biomolecules is based on the drain current of the device while the drain current is based on the dielectric constant and the interfacing charges of the biomolecules. The cavity length is varied between 25 nm and 30 nm and different dielectric constants have been used. The expansion of the cavity length results in slight reduction of the drain current due to lowering of the capacitance. Higher dielectric constants result in better drain current values which leads to an increase in the sensitivity of the device. The maximum sensitivity attained was as high as 1.0x1010. As compared to other transistors, DLDGTFET provides better sensitivity as a biosensor and also the leakage current is low.


INTRODUCTION


LATELY, the field of biosensors has been growing due to its wide range of applications ranging from medical [1] to environmental and agricultural fields. Biosensors based on FETs have been studied due to their various advantages such as low cost and their ability to detect charged biomolecules. FET-based biosensors were popular due to their performance in label-free detection of the biomolecules [2]. Despite being a low cost device, FET based biosensor did not had much applications due to their inability of detecting neutral charged particles. Later on, the dielectrically modulated FET based biosensors were imported to detect both charged and noncharged biomolecules [3]. A cavity was introduced under the gate to immobilize the biomolecules and determine the outcome on the basis of dielectric constant and drain current [4]. The immobilization of the biomolecules causes the electrical parameters to modulate and form a biosensor. However, it has some drawbacks such as scaling, power supply, short channel effects (SCEs) [5, 6], etc.

  • اشتراک گذاری در

دیدگاه خود را بنویسید:

تاکنون دیدگاهی برای این نوشته ارسال نشده است

تحلیل عملکرد تونل FET مدوله شده دی الکتریک مبتنی بر بیوسنسور بدون برچسب
نوشته های مرتبط
مقالات جدید
لوگوی رسانه های برخط

logo-samandehi

پیوندها