پوشش وزنی سیناپسی و پتانسیل خروجی
ترجمه نشده

پوشش وزنی سیناپسی و پتانسیل خروجی

عنوان فارسی مقاله: پوشش وزنی سیناپسی و پتانسیل خروجی در ترانزیستورهای عبور سیناپسی
عنوان انگلیسی مقاله: Synaptic Weight Coverage and Potential Output in Synaptic Pass-Transistors
مجله/کنفرانس: کنفرانس بین المللی درباره الکترونیک، اطلاعات و ارتباطات – International Conference on Electronics, Information, and Communication
رشته های تحصیلی مرتبط: مهندسی برق
گرایش های تحصیلی مرتبط: برق قدرت، سیستم های قدرت، برق صنعتی
کلمات کلیدی فارسی: لایه به دام اندازی بار (CTL)، پتانسیل خروجی، ترانزیستور عبور، انعطاف وزنی سیناپسی، ترانزیستور سیناپسی
کلمات کلیدی انگلیسی: Charge trapping layer (CTL), potential output, pass-transistor, synaptic weight plasticity, synaptic transistor
نوع نگارش مقاله: مقاله پژوهشی (Research article)
شناسه دیجیتال (DOI): https://doi.org/10.1109/ICEIC49074.2020.9051170
دانشگاه: Pusan National University, Pusan, Republic of Korea
ناشر: آی تریپل ای - IEEE
نوع ارائه مقاله: ژورنال
نوع مقاله: ISI
سال انتشار مقاله: 2020
فرمت مقاله انگلیسی: PDF
تعداد صفحات مقاله انگلیسی: 3
وضعیت ترجمه: ترجمه نشده است
قیمت مقاله انگلیسی: رایگان
آیا این مقاله بیس است: خیر
آیا این مقاله مدل مفهومی دارد: ندارد
آیا این مقاله پرسشنامه دارد: ندارد
آیا این مقاله متغیر دارد: ندارد
کد محصول: E15090
رفرنس: دارای رفرنس در داخل متن و انتهای مقاله
فهرست انگلیسی مطالب

Abstract


1- INTRODUCTION


2- THEORETICAL SYNAPTIC OPERATION


3- SIMULATIONS AND RESULTS


4- CONCLUSION


REFERENCES

نمونه متن انگلیسی مقاله

Abstract


In this work, we present the study on a weight modulation of a synaptic transistor with a charge trapping layer, demonstrating the voltage-to-voltage transfer by employing a load resistor at the output and the pass-transistor operation concept. The synaptic weight as a transfer-efficiency is defined with the synaptic output in terms of the equivalent transistor resistance and load. Since the channel resistance of synaptic transistor can be modulated by the charge trapping, the synaptic plasticity is explained with a relative dominance of the transistor’s resistance with the fixed load resistance. To show the weight modulation following the theoretical analysis, respective simulations for the depression and facilitation are conducted.


INTRODUCTION


A synaptic device is a major component comprising a neuromorphic circuit for a brain-like computing, which mimics a synapse. Here, the connection between neurons is called a synapse, where the action potential transmission is controlled, depending on its signal experiences. The control appears as a variation of synaptic connection strength, i.e. weight [1, 2].


One of the several synaptic devices emulating the biological synapse, a synaptic transistor has the three terminals available for the synaptic input, output, and back-propagation (BP) signal. The experience-based transfer regulation has been demonstrated by inserting an additional insulating layer below the gate metal, where the charges are caught or pushed out depending on an input and back-propagated signal [3,4]. However, the synaptic transistor alone produces the current output. Since a biological synapse transmits the action potential [5, 6], we here provide the analysis and simulations on a synaptic-transistor weight-plasticity with a resistor at the output for the voltage-to-voltage transfer, rather using the current-tovoltage conversion circuit.

  • اشتراک گذاری در

دیدگاه خود را بنویسید:

تاکنون دیدگاهی برای این نوشته ارسال نشده است

پوشش وزنی سیناپسی و پتانسیل خروجی
نوشته های مرتبط
مقالات جدید
لوگوی رسانه های برخط

logo-samandehi

پیوندها