دانلود رایگان مقالات انگلیسی در مورد ترانزیستور (Transistor) با فرمت pdf به همراه ترجمه تخصصی به زبان فارسی با فرمت پی دی اف و ورد با قابلیت ویرایش متن

 

 

ترانزیستور: ترانزیستور یکی از مهمترین قطعات الکترونیکی و یکی از ادوات حالت جامد است که از مواد نیمه رسانایی مانند سیلیسیم و ژرمانیم ساخته می‌شود. یک ترانزیستور در ساختار خود دارای پیوندهای نوع N ونوع P می‌باشد. ترانزیستورهای جدید به دو دسته کلی تقسیم می‌شوند: ترانزیستورهای اتصال دوقطبی (BJT) و ترانزیستورهای اثر میدانی (FET).

 

 

رشته های مرتبط: مهندسی برق

مرتب سازی بر اساس:
ترجمه نشده
پوشش وزنی سیناپسی و پتانسیل خروجی
قیمت: رایگان
مشاهده متن کامل

پوشش وزنی سیناپسی و پتانسیل خروجی

سال انتشار مقاله: 2020
نوع نگارش مقاله: مقاله پژوهشی (Research article)
ناشر: آی تریپل ای - IEEE
تعداد صفحات مقاله انگلیسی: 3
ترجمه نشده
مدلسازی ریاضی حالت مدار کوتاه یک ترانسفورماتور ولتاژ
قیمت: رایگان
مشاهده متن کامل

مدلسازی ریاضی حالت مدار کوتاه یک ترانسفورماتور ولتاژ

سال انتشار مقاله: 2020
نوع نگارش مقاله: مقاله پژوهشی (Research Article)
ناشر: آی تریپل ای - IEEE
تعداد صفحات مقاله انگلیسی: 5
ترجمه نشده
ترانزیستورهای اثر میدان پلیمری بسامد رادیویی
قیمت: رایگان
مشاهده متن کامل

ترانزیستورهای اثر میدان پلیمری بسامد رادیویی

سال انتشار مقاله: 2019
نوع نگارش مقاله: ----------
ناشر: آی تریپل ای - IEEE
تعداد صفحات مقاله انگلیسی: 4
ترجمه نشده
مبدل‏ های پل فعال دوگانه سه فازی و تحمل پذیری خطا
قیمت: رایگان
مشاهده متن کامل

مبدل‏ های پل فعال دوگانه سه فازی و تحمل پذیری خطا

سال انتشار مقاله: 2019
نوع نگارش مقاله: ----------
ناشر: آی تریپل ای - IEEE
تعداد صفحات مقاله انگلیسی: 6
ترجمه نشده
یک مدل فشرده و شبیه سازی TCAD برای ترانزیستور تزریق گیت (GIT)
قیمت: رایگان
مشاهده متن کامل

یک مدل فشرده و شبیه سازی TCAD برای ترانزیستور تزریق گیت (GIT)

سال انتشار مقاله: 2019
نوع نگارش مقاله: مقاله پژوهشی (Research Article)
ناشر: الزویر - Elsevier
تعداد صفحات مقاله انگلیسی: 18
ترجمه نشده
جداسازی خسارت در ترانزیستور پیوندی دو قطبی
قیمت: رایگان
مشاهده متن کامل

جداسازی خسارت در ترانزیستور پیوندی دو قطبی

سال انتشار مقاله: 2019
نوع نگارش مقاله: ----------
ناشر: آی تریپل ای - IEEE
تعداد صفحات مقاله انگلیسی: 6
ترجمه نشده
طراحی و کارایی مدارهای دیجیتال و آنالوگ TFET
قیمت: رایگان
مشاهده متن کامل

طراحی و کارایی مدارهای دیجیتال و آنالوگ TFET

سال انتشار مقاله: 2018
نوع نگارش مقاله: مقاله مروری (Review Article)
ناشر: الزویر - Elsevier
تعداد صفحات مقاله انگلیسی: 16
ترجمه نشده
ترانزیستورهای اثر میدان فروالکتریک بر پایه گرافن الکتروشیمیایی ورقه شده
قیمت: رایگان
مشاهده متن کامل

ترانزیستورهای اثر میدان فروالکتریک بر پایه گرافن الکتروشیمیایی ورقه شده

سال انتشار مقاله: 2018
نوع نگارش مقاله: مقاله پژوهشی (Research Article)
ناشر: الزویر - Elsevier
تعداد صفحات مقاله انگلیسی: 16
ترجمه شده
مدلسازی فشرده و اثرات اتصال در ترانزیستورهای لایه نازک
قیمت: ۲۳,۳۰۰ تومان
مشاهده متن کامل

مدلسازی فشرده و اثرات اتصال در ترانزیستورهای لایه نازک

سال انتشار مقاله: 2014
نوع نگارش مقاله: مقاله پژوهشی (Research Article)
صفحات ترجمه فارسی: 29
صفحات مقاله انگلیسی: 12
ترجمه شده
قرار دهی بهینه خازن در ترانسفورمرهای توزیع جهت کاهش اتلاف توان
قیمت: ۱۹,۷۰۰ تومان
مشاهده متن کامل

قرار دهی بهینه خازن در ترانسفورمرهای توزیع جهت کاهش اتلاف توان

سال انتشار مقاله: 2013
نوع نگارش مقاله: ----------
صفحات ترجمه فارسی: 20
صفحات مقاله انگلیسی: 8
ترجمه شده
ترانزیستورهای اثر میدانی بر اساس حامل های بار پروتونی
قیمت: ۱۱,۵۰۰ تومان
مشاهده متن کامل

ترانزیستورهای اثر میدانی بر اساس حامل های بار پروتونی

سال انتشار مقاله: 2010
نوع نگارش مقاله: مقاله پژوهشی (Research Article)
صفحات ترجمه فارسی: 5
صفحات مقاله انگلیسی: 4
ترجمه شده
سنجش آنزیمی به وسیله ترانزیستور الکتروشیمیایی
قیمت: ۱۶,۸۰۰ تومان
مشاهده متن کامل

سنجش آنزیمی به وسیله ترانزیستور الکتروشیمیایی

سال انتشار مقاله: 2007
نوع نگارش مقاله: ----------
صفحات ترجمه فارسی: 13 (1 صفحه رفرنس انگلیسی)
صفحات مقاله انگلیسی: 5